美軍芯片英特爾造！RAMP

文章摘要：

7月29日消息，美軍英特爾宣布完成美國國防部RAMP-C（快速保障微電子原型-商業）計劃，芯片18A工藝也已驗證通過，英特開云登入口可為美軍提供芯片量產服務。爾造而參與該計劃的美軍國防工業客戶已從測試芯片階段進入本土大規模制造階段。

該計劃自2021年9月啟動，芯片分三階段推進：技術基礎搭建、英特客戶導入與生態擴展、爾造先進原型設計與制造驗證，美軍旨在美國本土建立領先的芯片開云登入口CMOS技術研發與制造能力。

為此，英特美國專門撥款高達30億美元直接資助英特爾，爾造用于實施該計劃。美軍

技術方面，芯片RAMP-C計劃的英特核心是推進Intel 18A工藝節點，該工藝引入了RibbonFET全環繞柵極晶體管和PowerVia背面供電技術，可顯著提升每瓦性能和晶體管密度。

RAMP-C項目負責人表示，該計劃成功開發了關鍵的本土先進半導體技術和設計生態，為國防工業基地客戶提供了安全芯片制造路徑。而英特爾也成為美國唯一一家集研發、制造先進半導體技術于一身的公司。

值得注意的是，英特爾18A此前已獲多家外部客戶訂單。完成RAMP-C認證意味著英特爾代工在安全芯片制造領域邁出關鍵一步，對臺積電獨占的相關代工市場形成直接挑戰。